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...有助于提高电源效率:TK110N65Z,TK110Z65Z,TK110A65Z,TK125V65Z...
来自 : toshiba-semicon-storage.com/cn
发布时间：2021-03-25
东芝电子元件及存储装置株式会社（简称“东芝”） 推出了8款新一代[1]650V超结N沟道功率MOSFET“DTMOSVI系列”产品，它们分别是“TK110N65Z”、“TK110Z65Z”、“TK110A65Z”、“TK125V65Z”、“TK155A65Z”、“TK170V65Z”、“TK190A65Z” 和 “TK210V65Z”，其主要应用于数据中心和光伏发电机功率调节器等工业设备的开关电源，这些产品扩大了封装和导通电阻方面的产品线。
新一代DTMOSVI系列与上一代DTMOSIV-H系列相比，降低了“漏极-源极导通电阻x栅极-漏极电荷”（品质因数）的值约为40%，使开关电源的效率提高了约0.36%[2]。
东芝将通过继续扩大其产品线以满足市场发展趋势，从而帮助提高电源效率。
2020年3月31日东芝电子元件及存储装置株式会社(简称“东芝”) 推出了8款新一代[1]650V超结N沟道功率MOSFET“DTMOSVI系列”产品,它们分别是“TK110N65Z”、“TK110Z6...东芝电子元件及存储装置株式会社（东芝）推出了DTMOSVI系列的八种650V新一代[1]超结N沟道功率MOSFET产品：TK110N65Z，TK110Z65Z，TK110A65Z，TK125V65Z，TK155A65Z，TK170V65Z，TK190A65Z和TK210V65Z供应工业设备，例如数据中心和光伏发电机的功率调节器，以扩展封装和导通电阻方面的产品线。新一代超结N沟道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的阵容扩展，有助于提高电源效率：TK110N65Z，TK110Z65Z，TK110A65Z，TK125V65Z，TK155A65Z，TK170V65Z，TK190A65Z，TK210V65Z
本文链接： http://110z.immuno-online.com/view-731640.html
发布于 ： 2021-03-25
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